1.電壓型全控器件P≤MOSF：正連續(xù)柵電壓控制，負(fù)持續(xù)柵壓控制和隔離;開(kāi)關(guān)頻率高;單極，開(kāi)關(guān)頻率高，負(fù)連續(xù)柵電壓控制。
2.電壓型全控裝置IBGT：正連續(xù)柵電壓控制接通，負(fù)持續(xù)柵極電壓控制和隔離，開(kāi)關(guān)頻率高，雙極;
3.電壓型全控器件MCT：正脈沖電壓控制接通，負(fù)脈沖電壓控制關(guān)閉，開(kāi)關(guān)頻率高(低于IGBT)，雙極開(kāi)關(guān)，負(fù)脈沖電壓控制關(guān)閉。
4.電壓型全控裝置：連續(xù)電壓控制開(kāi)關(guān);高開(kāi)關(guān)頻率;單極;
5.電流模式全控裝置BJT：正連續(xù)基波電流控制開(kāi)啟，基極電流在基極電流為0時(shí)被關(guān)閉，開(kāi)關(guān)頻率適中，雙極電流被打開(kāi)，基極電流在基極電流為0時(shí)被關(guān)閉。
6.電流模式半控器件可控硅：脈沖柵電流控制接通，觸發(fā)信號(hào)不能控制開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)頻率低，雙極;
7.電流模式全控裝置GTO：正脈沖柵電流控制開(kāi)關(guān)，負(fù)脈沖門(mén)電流(較大)控制關(guān)閉，開(kāi)關(guān)頻率低，雙極;
2.電壓型全控裝置IBGT：正連續(xù)柵電壓控制接通，負(fù)持續(xù)柵極電壓控制和隔離，開(kāi)關(guān)頻率高，雙極;
3.電壓型全控器件MCT：正脈沖電壓控制接通，負(fù)脈沖電壓控制關(guān)閉，開(kāi)關(guān)頻率高(低于IGBT)，雙極開(kāi)關(guān)，負(fù)脈沖電壓控制關(guān)閉。
4.電壓型全控裝置：連續(xù)電壓控制開(kāi)關(guān);高開(kāi)關(guān)頻率;單極;
5.電流模式全控裝置BJT：正連續(xù)基波電流控制開(kāi)啟，基極電流在基極電流為0時(shí)被關(guān)閉，開(kāi)關(guān)頻率適中，雙極電流被打開(kāi)，基極電流在基極電流為0時(shí)被關(guān)閉。
6.電流模式半控器件可控硅：脈沖柵電流控制接通，觸發(fā)信號(hào)不能控制開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)頻率低，雙極;
7.電流模式全控裝置GTO：正脈沖柵電流控制開(kāi)關(guān)，負(fù)脈沖門(mén)電流(較大)控制關(guān)閉，開(kāi)關(guān)頻率低，雙極;
